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电子气体

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MO源电子气体三甲基铟

MO源电子气体三甲基铟

基本信息

中文名称 高纯三甲基铟 英文名称 trimethylindigane
中文别名
英文别名

Trimethylindane;Trimethylindium;Indium,trimethyl;Indium, trimethyl-;

CAS号 3385-78-2 分子式 C3H9In
分子量 159.92200 精确质量 159.97400
PSA 0.00000 LOGP 1.75140

三甲基铟,通常缩写为 TMI 或者 TMIn,是具有式In(CH3)3。它是无色发火固体。与三甲基铝不同,但类似于三甲基镓,TMI是单体的。制备:三甲基铟可以由三氯化铟和甲基锂反应而成。InCl3 + 3 LiMe → Me3In.OEt2 + 3 LiCl

性质:相较于三甲基铝和三甲基镓,InMe3 是一种较弱的路易斯酸。它与仲胺和仲膦形成加合物。它和一种三嗪配体 (PriNCH2)3 形成的配合物含有六配位铟, C-In-C 键角为 114°-117°。它与三齿配体形成三个长键,N-In-N 角为 48.6°,长 In-N 键的键长为 278 pm。

结构:处于气态InMe3 苯甲酸酯是单体,具有三角平面结构,在苯溶液中是四聚体。在固态中有两个多晶型物,例如通过升华获得的四方晶相和2005年发现的低密度菱面体相(InMe)。3 从己烷溶液中重结晶。 呈InMe的四边形形式3 如在苯溶液中那样为四聚体,并且四聚体之间存在桥连以提供无限的网络。每个铟原子是五个坐标,在扭曲的三角形平面配置中,三个最短的键(约216 pm)是在赤道平面上的键,具有更长的轴向键,In-C键和InMe的键合为308 pm。3 单元形成四聚体,In-C用356 pm将四聚体连接成无限网络。 GaMe的固态结构3 和TlMe3 是相似的。与在-32°C下熔融的三乙基铟相比,固态缔合具有89°-89.8°C的高熔点。 InMe的菱形形式3 由具有12元(InC)的环状六聚体组成6 以延伸的椅子形态响起。六聚体互连成无限网络。铟原子是五个坐标,赤道In-C距离平均为216.7pm,几乎与四方形式的平均值相同,轴向键为302.8pm,连接InMe3 单元变成六聚体,并且313.4 pm将六聚体连接起来,形成无限网络。

在微电子领域的应用:铟是几种化合物半导体的成分,包括InP,InAs,InN,InSb,GaInAs,InGaN,AlGaInP,AlInP和AlInGaNP。这些材料是通过金属有机气相外延(MOVPE)制备的,TMI是铟成分的首选来源。 TMI中的高纯度(纯度为99.9999%或更高)对于许多此类应用至关重要。对于某些材料,在77 K时观察到的电子迁移率高达287,000cm²/ Vs,在300 K时观察到的电子迁移率高达5400cm²/ Vs,背景载流子浓度低至6×1013 厘米−3. 

危险性:三甲基铟会自燃。

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